楚天都市报12月13日讯（记者胡长幸 通讯员严天凤）进行国际先进光电子技术向国内转移，除了资本购买、人才引进和以市场换技术，还有什么方式？目前，光谷市场主体在全球创新指数前20名的国家和地区设立技术转移中心，成为最新的尝试。
今日，在光谷举行的“2019年武汉市第十批科技成果转化·光电子信息专场签约活动”上，30个光电子领域的科技成果转化项目集中签约，总金额达到21.27亿元。其中武汉光电工业技术研究院与日本静冈大学签约共建技术转移中心，尝试在发达国家和地区筛选光电子信息领域优质企业和项目，就地投资、孵化预研技术项目，加速先进技术向中国转移。
合建先进光电子技术转移中心
“日本静冈大学在光学应用与影像科学等学科极富优势，武汉光谷则具有丰富的产业化应用场景和庞大的市场，双方的合作必然会实现优势互补，互利共赢。”日本静冈大学副校长、电子工学研究所所长三村秀典表示，希望能与武汉光谷从事3D成像、机器视觉等领域研究的优秀企业展开技术和市场合作。
光电工研院副总经理张杰表示，武汉光电子产业在全国乃至世界具有规模优势，但是在一些核心技术和上游关键材料、设备方面仍存在缺失环节，有必要广泛集聚海外技术流、资金流、人才流，增强光谷光电子产业的国际竞争力。
据介绍，中日合作技术转移中心的建设工作将于明年初启动，双方将共同筛选当地优质企业和项目，为其提供“培训+孵化+平台+资源+投资”的一体化加速服务，推动国内外先进技术项目落地及人才交流。2018年，光电工研院已经在新加坡建立了中新科技孵化器，推动科技成果转化、项目落地和人才交流，并于同年将华引芯高端LED芯片项目引入光谷。
记者注意到，在前不久发布的“创新创业创造十条”政策中，光谷首次提出，支持企业、科技成果转移转化机构等各类市场主体在全球创新指数前20名的国家和地区设立海外创新中心，对经认定且符合条件的光谷海外创新中心，最高300万元补助。
30个项目签约金额突破21亿
在活动现场，包括日本先进光电子技术转移中心项目在内，打破外国巨头垄断的25G高速DFB激光器芯片、被誉为下一代显示技术的Micro-LED、为中国处理器IP带来“自主可控”发展契机的RISC-V架构技术，国内唯一光刻技术研发和光刻设备生产平台等30多个光电子领域科技成果转化项目，集中签约，签约金额达到21.27亿元。
签约项目涉及成果、基金、平台三个类别。既有来自复旦大学、上海交通大学、华中科技大学、武汉国家光电研究中心、南洋理工大学等知名高校、科研院所的高科技项目，也有来自光电子细分领域隐形冠军企业的优秀成果。
活动还邀请了6个光谷双创团队进行项目路演，涉及TYPE-C数据传输系统芯片、自主移动机器人、半导体激光器、基于AI技术的智能安全产品、协作机器人等，覆盖了光电子信息产业链上游的材料、元器件等相关领域，助力光谷产业链“补链强基”。
本次活动由武汉市科学技术局、武汉市科技成果转化局主办，武汉东湖新技术开发区管委会、武汉未来科技城建设管理办公室支持。活动旨在探索高水平科技成果与企业实际需求的精准对接，助力光电子领域科技成果加速落地转化、产业化。
