楚天金报讯（记者刘晓杰 通讯员邓茜雯）在存储器领域，光谷将拥有自己的话语权。昨日，我省集成电路龙头企业武汉新芯与全球最大闪存公司美国飞索半导体（Spansion）签约，双方将联合研发生产3D NAND（三维闪存芯片），这也是目前国内首个进军这一领域的企业。未来，在全球三维闪存市场将有颗“武汉芯”。
“就像盖平房，现有芯片内布置存储单元全部是平铺，虽然体积越做越小，但总有物理极限。”昨日，武汉新芯董事长王继增告诉记者，三维闪存芯片可以满足手机、电脑等电子产品更强大的要求，“如同盖高楼，可以提供更大数据存储空间”。
据了解，这种三维闪存芯片可用于随时存储任何格式的数据文件资料，被誉为个人的“数据移动中心”。目前，全球这一领域的市场规模大约在400亿美元（约2456亿元人民币），其中，我国消费量已超过全球的半壁江山。
按照协议，利用各自在闪存存储器方面多年的研发生产经验，双方将快速切入三维闪存芯片领域，全面参与国际竞争。目前，双方在知识产权和技术研发等方面已经完成布局。
对此，武汉新芯副总经理李平表示：“人才是这个项目获得成功的关键，目前，公司聚集了来自全球顶尖的人才团队。”
按照计划，这一项目将于2016年底投产、2017年进入全面量产、2018年生产能力将会达到20万片，“与美国、日本和韩国等国际强手站上同一起跑线”。“一方面是面临新的技术变革，一方面是强大的市场需求。”昨日，在签约仪式现场，东湖高新区管委会副主任夏亚民就表示，自2006年成立以来，武汉新芯已经具备了一定的人才、技术和产业等优势，“发展集成电路产业一直是光谷梦寐以求的事情”。
据了解，到目前为止，东湖高新区共聚集有集成电路企业近50家，基本涵盖产业链的各个环节，去年总产值约50亿元。按计划，到2020年，光谷这一产业的规模将达1000亿元。
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